中国人民大学陈姗姗课题组在《Journal of Materials Chemistry A》期刊发表名为“Subnanometer-thick 2D GaN film with a largebandgap synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition”的论文，研究通过用PECVD法合成亚纳米厚的大带隙二维氮化镓薄膜

GaN film with a largebandgap synthesized by plasma enhanced chemical vapor deposition”的论文，研究通过用PECVD法合成亚纳米厚的大带隙二维氮化镓薄膜。利用改进的模板法，通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)合成超薄二维氮化镓薄膜。采用氮气对Ga2O3模板层进行氮化处理，与常用的氨气相比，氮气清洁环保。一系列表征研究证明了Ga2O3层向超薄二维GaN的转变。此外，还发现软氮气等离子体不仅对氧化物模板进行了氮化处理，而且刻蚀了不需要的上层，从而调整了二维氮化镓的厚度。由于其亚纳米厚度，二维氮化镓薄膜具有4.9 eV的宽禁带。本研究为制备具有较宽禁带的原子薄氮化镓纳米片提供了一种有效的方法。